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IR的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱(chēng)的HEXFET設(shè)計(jì)，使得irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量：10V
電壓， Vds 典型值：55V
電流， Id 連續(xù)：110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET極性： N型溝道
1.反復(fù)級(jí)別：脈寬小于最大值。結(jié)點(diǎn)溫度為。（看 圖1）。
2.開(kāi)始時(shí) TJ=25℃，L=138uH RG=25Ω，IAS=62A.（看圖2）。
3.ISD≤62A，di/dt≤207A/us，VDD≤（BR）DSS，TJ≤℃。
4.脈寬≤400us;duty cycle≤2%. ○
5.適當(dāng)?shù)倪B續(xù)電流取決于允許結(jié)點(diǎn)溫度。包裝極限溫度為75A。
6.在器件毀壞和表現(xiàn)出運(yùn)行外出點(diǎn)的操作極限的典型值。
7.這個(gè)適當(dāng)?shù)臉O限值為T(mén)J=175℃。 *當(dāng)裱裝在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）。 被推薦的封裝和焊接技術(shù)涉及應(yīng)用技術(shù)筆記 #AN-994。
圖1最大有效的熱敏阻抗，結(jié)點(diǎn)到器件
圖2最大的雪崩能量Vs 漏極電流
