131 1300 0010
IR的HEXFET功率場效應管irf3205采用先進的工藝技術制造，具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得irf3205成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
電壓 Vgs @ Rds on 測量：10V
電壓， Vds 典型值：55V
電流， Id 連續(xù)：110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET極性： N型溝道
1.反復級別：脈寬小于最大值。結(jié)點溫度為。（看 圖1）。
2.開始時 TJ=25℃，L=138uH RG=25Ω，IAS=62A.（看圖2）。
3.ISD≤62A，di/dt≤207A/us，VDD≤（BR）DSS，TJ≤℃。
4.脈寬≤400us;duty cycle≤2%. ○
5.適當?shù)倪B續(xù)電流取決于允許結(jié)點溫度。包裝極限溫度為75A。
6.在器件毀壞和表現(xiàn)出運行外出點的操作極限的典型值。
7.這個適當?shù)臉O限值為TJ=175℃。 *當裱裝在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）。 被推薦的封裝和焊接技術涉及應用技術筆記 #AN-994。
圖1最大有效的熱敏阻抗，結(jié)點到器件
圖2最大的雪崩能量Vs 漏極電流
