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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結構參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區(qū)別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
SS34為貼片肖特基二極管，常用在小電流的（模型）電調(diào)上用，用于電路瞬間整流。其中白色段為負極。
電壓，Vrrm:40V
電流，If平均：3A
正向電壓Vf最大：0.75V
電流，Ifs最大：100A
工作溫度范圍：-55°Cto+125°C
封裝形式：SMC
針腳數(shù)：2
封裝類型：SMC
封裝類型，替代：DO-214AB
正向電壓，于If:0.5V
電流，Ifsm:100A
結溫，Tj最低：-55°C
結溫，Tj最高：125°C
表面安裝器件：表面安裝
反向電流，Ir最大值：0.5mA
外殼溫度，Tc:105°C
回顧2014年，二極管SS34價格指數(shù)走勢基本處于盤整階段，震蕩范圍在40-50點之間，年末呈上升趨勢。整體來看，2014年二極管SS34價格指數(shù)收于最高點位56.82點，收于最低點位38.85點，周均價格指數(shù)為44.52點，12月末收于56.82點，漲幅比較明顯。
從產(chǎn)品報價來看，華強北市場2014年12月SS34平均價格為0.10元/PCS，最高報價為0.12元/PCS，最低價為0.078元/PCS。主要經(jīng)營品牌中，MCC的SS34平均價為0.08元/PCS，其中最高報價為0.085元/PCS，最低報價為0.078元/PCS；TOSHIBA的SS34平均價為0.12元/PCS；ZHIDE（志得）的SS34平均價為0.099元/PCS，其中最高報價為0.105元/PCS，最低報價為0.098元/PCS。
可以用4A或是以上功率40V肖特基代用。若是還找不到，也可以考慮用可以用5A或是以上功率的SFR01替代。
