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-HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬
加利福尼亞州山景城2021年10月22日 /美通社/ --
要點：
新思科技（Synopsys， Inc.，納斯達克：SNPS）近日宣布推出行業(yè)首個完整的HBM3 IP解決方案，包括用于2.5D多裸晶芯片封裝系統(tǒng)的控制器、PHY和驗證IP 。HBM3技術(shù)可幫助開發(fā)者滿足高性能計算、AI和圖形應用的片上系統(tǒng)（SoC）設計對高帶寬和低功耗內(nèi)存的要求。新思科技的DesignWare? HBM3控制器和PHY IP以經(jīng)過硅驗證的HBM2E IP為基礎，充分利用新思科技的中介層專業(yè)知識，能夠提供低風險解決方案，從而實現(xiàn)高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
新思科技驗證解決方案包括具有內(nèi)置覆蓋率和驗證計劃的驗證IP、用于ZeBu?仿真的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型以及HAPS?原型驗證系統(tǒng)，可加快從HBM3 IP到SoC的驗證速度。為加速HBM3系統(tǒng)設計的開發(fā)，新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片設計平臺提供了一個完全集成的架構(gòu)探索、實施和系統(tǒng)級分析解決方案。
新思科技DesignWare HBM3控制器IP支持各種基于HBM3的具有靈活配置選項的系統(tǒng)。該控制器可極大減少延遲并優(yōu)化數(shù)據(jù)完整性，具有先進的RAS特性，包括糾錯碼、刷新管理和奇偶校驗。
DesignWare HBM3 PHY IP采用5納米工藝，可提供預硬化或客戶可配置的PHY，每引腳的運行速度高達7，200Mbps，顯著提升了功耗效率，并支持多達四個有效工作狀態(tài)，從而實現(xiàn)動態(tài)頻率調(diào)節(jié)。DesignWare HBM3 PHY利用優(yōu)化的micro bump陣列以盡可能減少占位面積。基于其對中介層繞線長度的支持，開發(fā)者可以更加靈活地安排PHY，而不會影響性能。
新思科技面向HBM3的驗證IP使用新一代原生型SystemVerilog?Universal VerificaTIon Methodology （UVM）架構(gòu)，簡化現(xiàn)有驗證環(huán)境的整合難度，支持更多測試運行，從而縮短首次測試需要的時間。用于ZeBu仿真和HAPS原型驗證系統(tǒng)的現(xiàn)成HBM3內(nèi)存模型可實現(xiàn)RTL和軟件驗證，從而實現(xiàn)更高水平的性能。
新思科技營銷和戰(zhàn)略高級副總裁John Koeter表示：“新思科技不斷滿足數(shù)據(jù)密集型SoC的設計和驗證要求，為HBM3、DDR5和LPDDR5等領(lǐng)先協(xié)議提供高質(zhì)量的內(nèi)存接口IP和驗證解決方案。完整的HBM3 IP和驗證解決方案讓開發(fā)者可以依賴同一家供應商，就可以滿足日益增長的帶寬、延遲和功耗要求，同時加速驗證收斂。”
新思科技廣泛的DesignWare IP組合包括邏輯庫、嵌入式存儲器、PVT傳感器、嵌入式測試、模擬IP、接口IP、安全IP、嵌入式處理器以及子系統(tǒng)。為了加速原型設計、軟件開發(fā)以及將IP核整合進芯片，新思科技“IP Accelerated”計劃提供IP核原型設計套件、IP核軟件開發(fā)套件和IP核子系統(tǒng)。我們在IP質(zhì)量和全面技術(shù)支持方面進行了大量投資，以協(xié)助開發(fā)者降低集成風險，縮短產(chǎn)品上市時間。
客戶和合作伙伴證言
美光公司（Micron）高性能存儲器和網(wǎng)絡業(yè)務副總裁兼總經(jīng)理Mark MonTIerth表示：“Micron致力于為世界上最先進的計算系統(tǒng)提供業(yè)界性能最佳的解決方案。HBM3所提供的內(nèi)存帶寬對實現(xiàn)下一代高性能計算、人工智能和百萬兆級系統(tǒng)至關(guān)重要。我們與新思科技的合作將加速HBM3產(chǎn)品生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，以實現(xiàn)前所未有的超高帶寬、功耗和性能。”
三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃高級副總裁Kwangil Park表示：“在數(shù)據(jù)驅(qū)動的計算時代，人工智能、高性能計算、圖形和其他應用程序的發(fā)展極大提高了對內(nèi)存帶寬的需求。作為世界領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，三星一直致力于支持生態(tài)系統(tǒng)的形成，并開發(fā)HBM以滿足所有應用不斷增長的帶寬需求。新思科技是HBM行業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)先驅(qū)，也是三星的重要合作伙伴。我們期待與新思攜手繼續(xù)為客戶提供更好的HBM性能。”
海士力（SK hynix）公司副總裁、HBM產(chǎn)品負責人兼DRAM設計主管Cheol Kyu Park Hyun 表示：“作為全球領(lǐng)先的半導體制造商，海士力不斷投資開發(fā)包括HBM3 DRAM在內(nèi)的下一代內(nèi)存技術(shù)，以滿足AI和圖形應用工作負載的指數(shù)式增長所帶來的需求。與新思科技建立長期合作關(guān)系，有助于我們?yōu)楣餐蛻籼峁┙?jīng)過全面測試和可互操作的HBM3解決方案，以提高內(nèi)存性能、容量和吞吐量。”
Socionext數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡業(yè)務部門副總裁Yutaka Hayashi表示：“全球SoC解決方案領(lǐng)先企業(yè)Socionext與行業(yè)領(lǐng)先合作伙伴新思科技攜手合作，為我們在廣泛市場的共同客戶提供全面解決方案 。基于新思科技在5納米制程方面的HBM2E IP和集成式全系統(tǒng)多裸晶芯片設計平臺，我們與新思科技的合作將得以擴展，包括最新的DesignWare HBM3 IP和驗證解決方案，從而協(xié)助我們的客戶在HBM3規(guī)范的SOC方面實現(xiàn)更高的內(nèi)存性能和容量。”
供貨情況和資源
新思科技DesignWare HBM3控制器、PHY和驗證IP以及ZeBu仿真內(nèi)存模型、HAPS原型設計系統(tǒng)和3DIC Compiler目前有現(xiàn)貨供應。
