131 1300 0010
意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅?MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。
STGAP2SiCSN 在柵極驅(qū)動(dòng)通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達(dá)1700V 的電壓。輸入到輸出傳播時(shí)間小于 75ns，確保PWM 控制精度高。±100V/ns共模瞬變抗擾度 （CMTI） 保證開關(guān)可靠性。
內(nèi)置保護(hù)功能包括欠壓鎖定和熱關(guān)斷，欠壓鎖定（UVLO）通過(guò)閾值電壓防止 SiC 電源開關(guān)在低能效或不安全條件下工作。在檢測(cè)到結(jié)溫過(guò)高后，熱關(guān)斷降低驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)輸出。新產(chǎn)品提供兩種配置選擇，獨(dú)立多輸出配置可以使用外部電阻單獨(dú)優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強(qiáng)高頻硬開關(guān)應(yīng)用的穩(wěn)健性，利用米勒鉗位防止功率開關(guān)過(guò)度振蕩。
STGAP2SiCSN 邏輯輸入兼容低達(dá) 3.3V 的 TTL 和 CMOS 邏輯信號(hào)，簡(jiǎn)化了與主微控制器或?DSP處理器的連接。在高達(dá) 26V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，驅(qū)動(dòng)器的最大吸電流和拉電流均為 4A。片上集成的自舉二極管簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了可靠性，關(guān)斷模式有獨(dú)立輸入引腳，有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗。
