MEMS封裝技術(shù)主要源于IC封裝技術(shù)。IC封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和水平代表了整個(gè)封裝技術(shù)(包括MEMS封裝和光電子器件封裝)的發(fā)展歷程及水平。MEMS中的許多封裝形式源于IC封裝。目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無(wú)引線陶瓷芯片載體封裝(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等,在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝(BGA-Ball Grid Array)、倒裝芯片技術(shù)(FCT-Flip Chip?Technology)、芯片尺寸封裝(CSP-Chip Size Package)和多芯片模塊封裝(MCM-MulTI-Chip Module)已經(jīng)逐漸成為MEMS封裝中的主流。BGA封裝的主要優(yōu)點(diǎn)是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比,在相同端子情況下,增加了端子間距(1.00mm,1.27mm,1.50mm),大大改善了組裝性能,才使它得以發(fā)展和推廣應(yīng)用。21世紀(jì)BGA將成為電路組件的主流基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連(High Density Interconnect簡(jiǎn)稱(chēng)HDI)和微芯片模塊D型(Micro Chip Module D簡(jiǎn)稱(chēng)MCM-D)封裝技術(shù)。高密度互連(HDI)MEMS封裝的特點(diǎn)是把芯片埋進(jìn)襯底的空腔內(nèi),在芯片上部做出薄膜互連結(jié)構(gòu)。而微模塊系統(tǒng)MCM-D封裝是比較傳統(tǒng)的封裝形式,它的芯片位于襯底的頂部,芯片和襯底間的互連是通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)。HDI工藝對(duì)MEMS封裝來(lái)說(shuō)有很大的優(yōu)越性。由于相對(duì)于引線鍵合來(lái)說(shuō)使用了直接金屬化,芯片互連僅產(chǎn)生很低的寄生電容和電感,工作頻率可達(dá)1GHz以上。HDI還可以擴(kuò)展到三維封裝,并且焊點(diǎn)可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復(fù)的特性。
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