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從我們認知來看下，整流二極管是單導通的二極管元件，反向隔直流，交流變直流。4個可以做成橋式整流電路。
下面我們從專用術語來詳細了解下：
整流二極管的作用具有明顯的單向導電性。整流二極管可采用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的作用可以有效的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能優良。整流二極管的作用是利用PN結單向導電特性，把交流電轉變成脈動直流電。整流二極管的電流較大，大多采用面接觸性料封裝。那么整流二極管的作用主要有哪些呢？下面就是小編對于整流二極管的作用的具體介紹。
整流二極管的作用最為突出的就是其正向性，整流二極管外加正向電壓時，正向特性起始部分中的正向電壓很小，不能有效的克服PN結內電場的阻擋作用，當整流二極管的正向電流幾乎為零，這一段稱為死區，不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當整流二極管正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被有效克服，整流二極管的正向導通，電流隨電壓增大而快速上升。在正常的電流范圍內，導通時整流二極管端電壓幾乎維持不變。
整流二極管的作用中的反向性，是當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，通過整流二極管的電流少數載流子漂移運動從而形成的反向電流。由于整流二極管的作用反向電流很小，整流二極管處于截止狀態。整流二極管的反向飽和電流受溫度影響。一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多，小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺整流二極管在μA數量級。當整流二極管溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目也會增加。
整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下，整流二極管因勢壘區寬度很小，反向電壓較大會破壞勢壘區內共價鍵結構，使電子脫離共價鍵束縛，產生電子空穴，整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數值時，外加電場會使電子漂移速度加快，從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子空穴對。
