99久久久久国产-99久久久久国产精品免费-99久久久久久久-99久久久免费精品免费-99久久免费费视频在线观看

131 1300 0010
元件技術
當前位置: 首頁>> 元件技術>>
  • 導航欄目
  • 二極管
  • 整流橋
  • MOS管
  • 其他
  • 東京大學和三菱將減少SiC功率半導體電阻的因素
    東京大學和三菱將減少SiC功率半導體電阻的因素
  • 東京大學和三菱將減少SiC功率半導體電阻的因素
  •   發布日期: 2017-12-12  瀏覽次數: 1,816

     日本東京大學和日本三菱電機株式會社的大學產業團隊在12月4日在舊金山召開的第63屆IEEE國際電子器件會議(IEDM 2017)上報告說,它首次量化了三個電子 - 用于確定功率半導體模塊中的碳化硅(SiC)功率半導體器件的電阻的散射機制。他們發現SiC界面下的電阻可以通過抑制電荷的電子散射而降低三分之二。預計這將通過降低SiC功率半導體的電阻來幫助降低功率設備的能耗。

      SiC功率器件比傳統的硅功率器件具有更低的電阻,因此要進一步降低其電阻,正確理解SiC界面下的電阻特性非常重要。

      三菱電機先進技術研發中心碳化硅器件開發中心高級經理Satoshi Yamakawa表示:“直到現在,單獨測量決定電子散射的阻力限制因素還是很難的。

      


     

      圖片:SiC界面下的電子散射受到三個因素的限制:界面的粗糙度,界面下的電荷以及原子振動。

      關注原子振動的電子散射是使用東京大學的技術測量的。在三菱電機制造裝置的分析中,顯示出在SiC界面下電荷和原子振動對電子散射的影響占主導地位。盡管已經認識到SiC界面下的電子散射受三個因素限制,即SiC界面的粗糙度,SiC界面下的電荷以及原子振動,各個因素的貢獻還不清楚。為了確認電荷的影響,制作平面型SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC-MOSFET),其中電子從SiC界面離開幾納米。

      東京大學研究生院副教授Koji Kita說:“我們能夠以前所未有的水平證實,SiC界面的粗糙度幾乎沒有影響,而SiC界面下的電荷和原子振動是主要因素。 。

      


     

      圖:SiC界面粗糙度對限制電阻的影響不大,而SiC界面下的電荷和原子振動是主導因素。

      使用較早的平面型SiC-MOSFET器件進行比較,由于電子散射的抑制,通過使電子遠離SiC界面下的電荷而實現的電阻減小了三分之二。以前的平面型器件具有與三菱電機制造的SiC MOSFET相同的界面結構。

      為了進行測試,公司負責處理阻力限制因素的設計,制造和分析,東京大學負責測量電子散射因子。

      “未來,我們將繼續完善我們的碳化硅MOSFET的設計和規格,以進一步降低SiC功率器件的電阻,”Yamakawa說。


  • ·上一篇:
    ·下一篇:
  • 其他關聯資訊
    深圳市日月辰科技有限公司
    地址:深圳市寶安區松崗鎮潭頭第二工業城A區27棟3樓
    電話:0755-2955 6626
    傳真:0755-2978 1585
    手機:131 1300 0010
    郵箱:hu@szryc.com

    深圳市日月辰科技有限公司 版權所有:Copyright?2010-2023 www.qingjujia.cn 電話:13113000010 粵ICP備2021111333號
    主站蜘蛛池模板: 中国wwwxxx| 特别毛片 | 天天影院色 | 亚洲精品一线观看 | 伊人思思| 免费影院在线 | 福利视频在线播放 | 日本不卡在线一区二区三区视频 | 亚洲综合视频一区 | 一区二区三区精品国产欧美 | 久久精品这里精品 | 国产色网站 | 玖玖爱在线播放 | 免费看欧美日韩一区二区三区 | 亚洲精品一区二区三区 | 中文字幕有码在线视频 | 日本国产欧美色综合 | 人成在线 | 亚洲免费观看在线视频 | 久久精品亚洲99一区二区 | 黄色小视频在线看 | 日韩我不卡 | 国产亚洲精品xxx | 国自产在线精品免费 | 8090碰成年女人免费碰碰尤物 | 欧美一级毛片免费看 | 久久亚洲精品人成综合网 | 日日摸夜夜添夜夜添欧美毛片 | 免费看片免费播放 | jizjizjiz亚洲人 | 国产区综合另类亚洲欧美 | 激情综合婷婷 | 日本www高清免费视频观看 | 日韩在线观看精品 | 色婷婷色99国产综合精品 | 成年男女免费大片在线观看 | 久久久国产精品免费看 | 黄色片视频免费 | 欧美激情片网站 | 窝窝午夜精品一区二区 | 国产又黄又潮娇喘视频免费 |