(1)場效應管是電壓控制器件,柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流。因此,在信號源額定電流極小的情況,應選用場效應管。
(2)場效應管是多子導電,而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對于環境變化較大的場合,采用場效應管比較合適。
(3)場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外,還可作壓控可變線性電阻使用。
(4)場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此,使用場效應管比晶體管靈活。
(5)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
場效應管(fet)是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點,在大規模和超大規模集成電路中被應用。
場效應器件憑借其低功耗、性能穩定、抗輻射能力強等優勢,在集成電路中已經有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的,雖然多數已經內置了保護二極管,但稍不注意,也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。
場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是既有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件。
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比三極管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。