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三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。

第三代10nm級工藝即1z nm（在內存制造中，用x/y/z指代際，工藝區間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術，單芯片容量8Gb(1GB)。

三星表示，1z nm是業內目前最頂尖的工藝，生產效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。

量產時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業級服務器和2020年的高端PC產品。

三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產能，同時上述先進技術還將應用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。

不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由于智能機市場增長乏力，數據中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業務預計將面臨艱難一年。