2、肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數量級；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100V以上時，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。
肖特基二極管屬于大電流、低功耗、超高速半導體整流器件。它的特點是反向恢復時間很短，其值可小到幾納秒，而工作電流卻可達到兒千安培。
肖特基二極管在電路中主要是作整流二極管、續流二極管、保護二極管以及小信號檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅動器、開關電源、變頻器、逆變器等電路。對于點接觸型肖特基二極管，主要用于微波通信電路。
另外，還有一種鋁硅肖特基二極管，除用于開關電路外，主要用于高頻電路中作檢波和鑒頻，代替2AP9等檢波二極管。如2S11的頻率可達(10的三次方)MHz，廣泛用于一般的電子產品。
