·由等效電容造成的反向恢復電荷很少，所以硅二極管中常常出現反向峰值電流幾乎不再存在；
·無論負載電流，還是溫度變化，反向電荷產生的電流變化率di/dt低至為零；
·工作結溫可高于200℃。
由于采用碳化硅制造的二極管比硅基二極管貴得多，所以還沒有廣泛應用。據預計在中長期內，硅半導體的價格仍將優于碳化硅半導體，所以至少在中期內，碳化硅半導體主要應用于那些能夠為整個系統帶來成本降低或性能提升的場合。
碳化硅肖特基二極管內部結構如圖1所示。左邊的一幅圖是傳統的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結構的MPS二極管的結構，它的特點是在肖特基接觸區增加了一些P型結構。相比于標準的碳化硅肖特基二極管來說，這些結構有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩電阻率。
碳化硅肖特基二極管的兩種內部結構和電路符號如圖1所示，在高摻雜N+陰極電極和低摻雜N-外延層之間插入了一個N型摻雜層。這一層叫作電場終止層，主要用器件在阻斷狀態下承受電場。這使得外延層可以做得更薄，在相同的電場強度下可以減低導通損耗。這一技術不僅僅用于肖特基二極管，也用于IGBT和功率PN二極管。
