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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型（juncTIon FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
場效應管與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。
（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；
（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管的抗輻射能力強；
（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
工作原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中NegaTIve），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（PosiTIve）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。
場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。
場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器前置級。
1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。 場效應管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種 載流子
2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流 場效應管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流
3、三極管輸入阻抗小，場效應管輸入阻抗大
4、有些場效應管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發射極不可以互換
5、場效應管的頻率特性不如三極管
6、場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級
7、如果希望信號源電流小應該選用場效應管，反之則選用三極管更為合適
