引言
隨著LED產(chǎn)品的不斷發(fā)展,LED行業(yè)無論是從上游的晶片,中游的封裝還是下游的應(yīng)用都呈現(xiàn)出百花齊放模式。然而現(xiàn)在正從百花齊放的狀態(tài)往大洗牌的模式發(fā)展,如何在LED大洗牌中存活起來,其中最大的因素就是提高自身產(chǎn)品的性價(jià)比。所以目前LED行業(yè)無論是飛利浦、OSRAM等LED巨頭還是一些國內(nèi)小規(guī)模公司都在進(jìn)行殘酷的價(jià)格戰(zhàn)。而對(duì)于LED照明產(chǎn)品,LED顆粒占成本比例最高,所以LED應(yīng)用廠會(huì)不停的尋找低成本的LED顆粒供應(yīng)商,而LED顆粒供應(yīng)商要使自己產(chǎn)品更有性價(jià)比就一定要做降本。所以LED芯片、金線、支架等這些原物料就首當(dāng)其沖被替換。
就目前來講LED顆粒單價(jià)的降本頻率已經(jīng)從之前的季度降本提高到每月降本,所以如何對(duì)LED信賴性做好把關(guān)非常關(guān)鍵。如果采用LM 80/LM 79的測(cè)試方式顯然不能滿足應(yīng)用廠的要求,LM 80的測(cè)試周期一般正常為6000hr,按照這樣的方式驗(yàn)證完成后LED顆粒的價(jià)格早已做過幾次更新。所以對(duì)于LED應(yīng)用廠來說,需要在最短的時(shí)間內(nèi)對(duì)一款LED信賴性作出判斷,即探討一種低成本、快速、有效的篩選LED顆粒的方法。
LED封裝物料介紹
如上圖(1)所示,LED主要的原物料有封裝膠、金線、晶片、固晶膠、支架五個(gè)部分。每種物料都會(huì)直接影響LED性能。例如較差的封裝膠不但會(huì)導(dǎo)致出光效率低,更會(huì)導(dǎo)致材料容易受潮,硫化風(fēng)險(xiǎn)增大。
隨著LED封裝企業(yè)越來越多,迫于成本及競(jìng)爭(zhēng)淘汰的壓力,封裝廠使用的線材已經(jīng)從剛開始的99.99%的純金線演變成K金線,鍍鈀銅線,而這些線材導(dǎo)熱率會(huì)下降,而且延展性降低,這樣對(duì)于外界產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)很敏感,很容易產(chǎn)生斷線,舉例來講,因?yàn)長(zhǎng)ED為潮濕敏感性器件,如果LED中有水汽進(jìn)入,當(dāng)貼片完成后過回流焊時(shí)會(huì)因熱膨脹產(chǎn)生應(yīng)力,如果線材延展性不好會(huì)很容易因應(yīng)力導(dǎo)致斷線,從而造成過回流焊后死燈現(xiàn)象嚴(yán)重。
另外迫于成本的壓力,很多封裝廠是都在減小晶片的尺寸,并且過電流操作例如早期10*30mil晶片只會(huì)做到0.1W,驅(qū)動(dòng)到30mA,而現(xiàn)在有些廠商會(huì)過載到100mA,這樣已經(jīng)超過此晶片的最大承受電流,光衰的風(fēng)險(xiǎn)太大。
對(duì)LED壽命影響較大的另一個(gè)重要物料就是支架。 對(duì)于同樣一顆LED,在成本不變的前提下,要獲取更多的光通量,最有效的方法就是過電流來驅(qū)動(dòng),但是這樣操作會(huì)造成電流密度過大,從而導(dǎo)致熱量的增加非常大,如下圖2所示使用同一家2835 1W LED做蠟燭燈,推不同電流對(duì)應(yīng)的溫度。
圖2 LED不同驅(qū)動(dòng)電流對(duì)應(yīng)溫度(測(cè)試儀器:紅外熱像儀)
從上圖可以看出,LED驅(qū)動(dòng)電流下降20%,對(duì)應(yīng)的LED芯片表面溫度下降17%。另外130°已經(jīng)超過了LED芯片的最大承受溫度(一般中小功率芯片為115°,較好點(diǎn)的為125°)。過高的溫度不但導(dǎo)致LED芯片損傷,熒光粉激發(fā)效率降低,也會(huì)使支架上的反射蓋黃化,從而最終都會(huì)導(dǎo)致LED光衰嚴(yán)重。
目前中小功率(0.5W以下)使用的還是PA9T,有些廠商出于成本的考量甚至還在使用PA6T,不耐高溫。對(duì)于耐高溫來講表現(xiàn)最好的為EMC,其次為PCT,然后是PA9T,PT6T表現(xiàn)最差。
LED快速老化的方法探討
本文基于LED應(yīng)用廠探討LED顆粒快速老化試驗(yàn)方法,當(dāng)LED應(yīng)用廠拿到LED封裝廠提供的樣品后,分三部分進(jìn)行篩選測(cè)試:①.對(duì)LED顆粒進(jìn)行初始光電參數(shù)測(cè)試,包括不同參數(shù)下的光電參數(shù),芯片尺寸等;②.常溫、1.5倍電流快速老化測(cè)試;③.85℃、標(biāo)稱電流快速老化測(cè)試。下面以一個(gè)實(shí)際案例進(jìn)行說明。
需要說明的一點(diǎn)是:本文中的快速老化試驗(yàn)所作出的壽命推估只做參考使用,目前還沒有一個(gè)快速老化試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn),所以此方法僅作為照明應(yīng)用廠在同等試驗(yàn)條件下將多家供應(yīng)商的LED顆粒進(jìn)行比較試驗(yàn),擇優(yōu)選取的參考。
初始光電參數(shù)測(cè)試及芯片尺寸量測(cè)
對(duì)A、B兩家LED顆粒樣品進(jìn)行初始參數(shù)測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如表1,從表格中可以看出A、B兩家材料初始光通量相當(dāng),其中B廠商電壓較低,整體光效會(huì)高于A廠商。
表1 A、B兩家LED顆粒初始光電參數(shù)
從晶片2D圖可以看出A廠商使用的晶片尺寸大于B廠商,A廠商芯片的最大承受能力會(huì)大于B廠商,即在過電流操作的情況下,A廠商的的光衰會(huì)小于B廠商(2.2.4的老化試驗(yàn)也證明了這點(diǎn))。
圖3 A、B廠商芯片2D圖
常溫、1.5倍電流快速老化
各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點(diǎn)數(shù)量)進(jìn)行常溫(25℃),1.5倍電流(225mA)快速老化試驗(yàn),分0hr、48hr、96hr、168hr四個(gè)階段測(cè)試光電參數(shù),以光通量的變化量計(jì)算出各節(jié)點(diǎn)衰減比例。如表2所示。并根據(jù)各節(jié)點(diǎn)衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表3所示。從壽命曲線圖可以看出A廠商的LED壽命明顯優(yōu)于B廠商。
表2 常溫、1.5倍電流光通量衰減比例
表3 常溫、1.5倍電流壽命推估圖
85℃、標(biāo)稱電流快速老化
各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點(diǎn)數(shù)量)進(jìn)行85℃、標(biāo)稱電流(15mA)快速老化試驗(yàn),分0hr、48hr、96hr、168hr四個(gè)階段測(cè)試光電參數(shù),以光通量的變化量計(jì)算出各節(jié)點(diǎn)衰減比例,如表4所示。并根據(jù)各節(jié)點(diǎn)衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表5所示。從試驗(yàn)結(jié)果看,高溫老化試驗(yàn)中,A廠商壽命也會(huì)比B廠商高。
表4 85℃、標(biāo)稱電流光通量衰減比例
表5 85℃、標(biāo)稱電流壽命推估圖
小結(jié)
通過本章的討論我們可以探討出適用于應(yīng)用廠的快速篩選LED的方法:在同時(shí)拿到多家封裝廠LED的時(shí)候,首先可以對(duì)LED進(jìn)行解剖,量測(cè)LED芯片尺寸,一般芯片越大抗ESD、抗大電流能力肯定越好;其次進(jìn)行常溫、1.5倍(或者雙倍)快速老化試驗(yàn)以及85℃、標(biāo)稱電流老化試驗(yàn),根據(jù)0hr、48hr、96hr、168hr各節(jié)點(diǎn)的光通量衰減比例繪制出壽命推估,比較各廠商的光通量維持率能力,從而比較判斷各廠商的優(yōu)劣,最后可以結(jié)合各廠商LED的單價(jià)在最短時(shí)間內(nèi)選擇最具性價(jià)比的LED顆粒。(作者:馮少明)