開關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略–輻射部分
發(fā)布日期：
2018-11-04 瀏覽次數(shù)： 1,405
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起
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可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻；
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RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；
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VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；
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或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
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在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
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在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
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在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
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PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；
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變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
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可以在整流管上串磁珠；
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調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
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可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/li>
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也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
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增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
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